收藏本站
IRS210614S
PRELIMINARY
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 14 V, C T = 1 nF and T A = 25 °C unless otherwise specified. The V O and I O parameters
are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
CLO1=CLO2=CHO1=CHO2=1 nF.
Symbol
Definition
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
Low Voltage Supply Characteristics
VIH
VIL
VOH
VOL
ILK
IQBS
IQCC
IIN+
IIN-
VCCUV+
VBSUV
VCCUV-
VBSUV-
VCCUVH
VBSUVH
Io+
Io-
Logic “1” input voltage
Logic “0” input voltage
High level output voltage, V BIAS -V O
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
Quiescent VBS supply current
Quiescent VCC supply current
Logic “1” input bias current VIN = 5 V
Logic “0” input bias current VIN = 0 V
VCC and VBS supply undervoltage
positive going threshold
VCC and VBS supply undervoltage
negative going threshold
Hysteresis
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
2.5
—
—
—
—
20
60
—
—
8.0
7.4
0.3
130
270
—
—
0.05
0.02
—
75
120
5
—
8.9
8.2
0.7
290
600
—
0.8
0.2
0.1
50
130
180
20
5
9.8
9.0
—
—
—
V
μA
V
mA
VCC = 10 V to 20V
Io = 2 mA
VB = VS = 600 V
VIN = 0 V or 5V
VO = 0 V,
PW ≤ 10 μs
VO = 15 V,
PW ≤ 10 μs
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15 V, V SS = COM, C L = 1000 pF, T A = 25 °C.
Symbol
ton
toff
Component
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Min.
---
---
Typ.
165
165
Max. Units
230
230
Test Conditions
V S = 0 V
V S = 0 V or 600 V
MT
tr
tf
Delay matching, HS & LS turn-on/off
Turn-on rise time
Turn-off fall time
---
---
---
0
100
35
30
220
80
ns
V S = 0 V
www.irf.com
7
? 2008 International Rectifier
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRS2106SPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
IRS2108STRPBF IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
IRS21091STRPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC
IRS2109SPBF IC HALF BRIDGE DRIVER 8-SOIC
IRS2111PBF IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
IRS2112SPBF IC DRIVER HI/LOW SIDE 16-SOIC
IRS2113MPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ
IRS2113SPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC
相关代理商/技术参数
IRS210614STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21064PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21064SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21064SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE SOIC14
IRS21064STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2106PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2106SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10V to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2106STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube